納米壓印技術提高led發光地磚燈廠家的產品效率
led發光地磚燈及各種led燈具控制,可實現長距離、大范圍、高功率燈具工程的布置、室內室外led廣告展示和PWM信號產生。低功耗全彩led照明燈具控制芯片,SDMX512采用了同步DMX512單線led照明控制機制,使led發光地磚燈的級聯控制變得變得靈活和簡(jian)單,SDMX512內部由(you)通信控制模塊和三路數字PWMled調光控制兩部分組成。
led發光地磚燈以SDMX512為(wei)基礎的(de)全彩地板燈組成(cheng)級聯控(kong)制(zhi)(zhi)方(fang)式(shi),燈具間只(zhi)需要單線(xian)控(kong)制(zhi)(zhi)線(xian),不(bu)需要設置地址,每(mei)個(ge)芯片的(de)控(kong)制(zhi)(zhi)數據為(wei)12位,控(kong)制(zhi)(zhi)RGB三種(zhong)顏色(se),每(mei)一種(zhong)顏色(se)為(wei)4位控(kong)制(zhi)(zhi)數據,16位灰(hui)度等級,除了單線(xian)控(kong)制(zhi)(zhi)方(fang)式(shi)之外(wai),SDMX512還(huan)保留了時鐘移位鎖存(cun)的(de)方(fang)法以上兩種(zhong)方(fang)法能夠(gou)混合使用,通過兩根控(kong)制(zhi)(zhi)線(xian)來選擇(ze)不(bu)同的(de)通信控(kong)制(zhi)(zhi)方(fang)法。
近還出(chu)現(xian)了(le)利(li)用納(na)米壓(ya)(ya)印技術進一步(bu)提高(gao)led發光地磚(zhuan)燈效率的可能性(xing)。國外(wai)某幾所大(da)學(xue)研究室利(li)用納(na)米壓(ya)(ya)印技術開發出(chu)了(le)將GaN晶(jing)體的位錯(cuo)。位錯(cuo)是指晶(jing)體中(zhong)含有的線狀缺陷。此前GaN晶(jing)體的位錯(cuo)密(mi)度高(gao)達1×109/c㎡以上,被認為是向led流(liu)過大(da)電流(liu)時導致發光效率降低的原(yuan)因,降至大(da)約原(yuan)來(lai)的1%的方法。
具體(ti)方法是:首先在(zai)原來的(de)GaN晶(jing)體(ti)上(shang)形(xing)成SiO2薄膜(mo),利(li)用納米(mi)壓印(yin)技(ji)術形(xing)成幾十個nm寬的(de)小口(kou);然(ran)后再次生長GaN晶(jing)體(ti)。這樣,SiO2膜(mo)下方的(de)GaN晶(jing)體(ti)的(de)位(wei)錯就不會到(dao)達(da)上(shang)方的(de)GaN晶(jing)體(ti),由(you)此能減少上(shang)方GaN晶(jing)體(ti)的(de)位(wei)錯。該大(da)學教授介紹說,“我們試(shi)制了led,確認該技(ji)術可提高led發光地磚燈輸出功率并延(yan)長壽命。應該也能用于功率半導體(ti)”。
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